研发案例


       公司现采用成熟的低氧工艺,磁体的氧含量可以控制在1000ppm内。可以满足较高性能 的工艺要求。近年又通过技术开发,逐渐研发了渗镝技术工艺,大大的提高了磁体的内禀矫顽力,磁体Hcj 可以提高4000-8000KOe。满足客户高温老化要求同时增加产品的市场竞争力。研发团队经过严格的过程控制方法,突破了细化晶粒工艺,磁体的晶粒尺寸可以控制在4-6nm如图,晶粒尺寸细小均匀,大幅度提高磁体内禀矫顽力。













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